MSM-200双面显微镜 晶圆上下结构偏差快速检测方案 （附报价与案例）

2026-04-13

导读：在半导体光刻、晶圆键合、TSV通孔制造中，晶圆上下层结构的对准偏差是直接影响良率的关键难题。苏州卡斯图MSM-200双面显微镜，专为4-12英寸晶圆上下结构同轴重叠测量设计。本文提供：①技术原理 ②实测效率数据 ③与红外/单面方案对比 ④报价与样机测试申请。

MIR50近红外显微镜 光模块共晶贴片空洞与偏移在线检测方案 （附空洞率标准·报价·免费测样）

2026-04-11

导读：在400G/800G/1.6T光模块及CPO制造中，激光器（DFB/EML）共晶贴片的焊料空洞率和贴片偏移是影响可靠性与光耦合效率的隐蔽杀手。传统方法无法穿透InP/GaAs衬底，检测如同"盲人摸象"。苏州卡斯图MIR50近红外显微镜，提供无损、在线、量化的检测方案。本文提供：①空洞率与寿命的量化关系 ②实测案例...

国产替代新进展：MIR100近红外显微镜在多层石墨烯堆垛研究中的技术验证与应用

2026-04-07

​在凝聚态物理与二维材料研究领域，多层石墨烯的堆垛顺序（如ABA、ABC堆垛）及其层间耦合效应，直接决定了材料的电子能带结构与量子输运特性。对这一微观结构的精准表征，长期以来依赖进口近红外显微镜。2026年1月，苏州卡斯图电子有限公司自主研发的MIR100近红外显微镜正式交付天津大学凝聚态物理专业实验室，并在多层石墨烯...

近红外显微镜MIR50 光模块共晶贴片精准在线检测与可靠性保障

2026-04-07

在光通讯模块的共晶贴片（Eutectic Die Bonding）工艺后，使用近红外（NIR）显微镜进行在线检测，是解决“硅基材料不透明”痛点、确保激光器（DFB/EML）与探测器高可靠性的关键环节。对于400G/800G/1.6T光模块及CPO（共封装光学）制造而言，这是实现工艺闭环、从源头管控焊料空洞（Solder...

透射近红外显微镜在半导体行业的应用

2025-10-31

透射式近红外显微技术（以苏州卡斯图MIR800设备为例）在半导体行业中，作为一种重要的材料内部结构分析手段，其价值在于能够对半导体材料及器件进行非破坏性的内部状态观察。MIR800的核心能力，体现在其利用近红外光良好的穿透性，实现对不透明或半透明材料内部结构的可视化成像。

面向1.6T光模块制造的共晶质量观察方案： 卡斯图MIR100近红外显微镜的应用

2025-10-20

在1.6T光模块的技术发展中，共封装光学（CPO）与硅光集成是重要的技术路径。其内部激光器、调制器等核心芯片需要通过共晶贴片工艺实现高标准的集成。该焊接界面的质量，对模块的整体性能与工作稳定性存在影响。苏州卡斯图的MIR100近红外显微镜，为观察与分析该界面状态，提供了一种共晶后缺陷检测的观察方案。

高速率光模块共晶贴片后红外检查

2025-10-20

在400G、800G及未来1.6T光模块的制造中，共晶贴片工艺的质量是影响产品性能与长期稳定性的关键因素。共晶界面存在的空洞、裂纹等潜在缺陷，会直接影响散热效率、信号质量和机械牢固度。由于该界面被不透明的芯片完全遮盖，传统光学显微镜无法观察，而X-Ray又因对比度不足难以清晰成像，因此，共晶红外检测 成为一种被行业广泛...

苏州卡斯图MIR100近红外显微镜如何揭示石墨烯的隐藏结构

2025-10-13

在石墨烯研究与产业化进程中，准确识别其层数、堆垛顺序和微观应变是调控电学、光学性能的关键。然而，传统可见光显微镜受限于物理原理的瓶颈，难以实现对这些关键参数的无损、快速检测。苏州卡斯图MIR100近红外显微镜通过IR成像机制，突破了可见光的局限，为石墨烯行业提供了新的解决方案。

MIR100近红外成像区别多层石墨烯堆垛

2025-10-13

堆垛构型是二维层状材料中一个奇特的结构自由度，在对称性破缺以及多种新奇的电学、光学、磁学和拓扑现象中发挥着关键作用。近年来，三层石墨烯受到研发人员的广泛关注。通常，三层石墨烯可呈现两种不同的堆垛几何构型：菱面体（ABC）堆垛和伯纳尔（ABA）堆垛。其中，ABC堆垛表现为原子层沿同一方向逐层偏移，其低能带色散明显区别于A...

苏州卡斯图MIR800近红外显微镜在MEMS键合检测中的应用

2025-08-21

苏州卡斯图MIR800系列近红外显微镜（NIRM）是专为MEMS键合工艺研发的检测设备，采用双波长近红外成像技术（1050nm/1200nm），为半导体行业提供可靠的键合质量评估方案。

近红外显微镜在广义缺陷检测与结构观测中的工作原理详解

2025-08-21

近红外显微镜作为一种非破坏性检测工具，其能力源于近红外光（波长780-2500nm）特别的物理性质：一定的穿透深度、对特定官能团的响应性以及与微观结构的相互作用。它通过探测光在传播过程中发生的吸收、散射、反射等物理效应的变化，来揭示材料内部的结构异常、成分不均或潜在缺陷。

基于MIR100红外反射模式的905nm车载激光雷达 VCSEL氧化孔径测量方案

2025-08-21

在红外反射模式下，MIR100的照明光（波长范围覆盖905nm）照射到VCSEL芯片表面。由于氧化层（如Al₂O₃）与其周围的半导体材料（如AlGaAs）具有不同的折射率和消光系数，它们对近红外光的反射能力存在明显差异。这种差异会在显微图像中形成明暗对比，从而清晰地显示出VCSEL氧化孔径的轮廓和形貌。